[发明专利]一种透明氧化物半导体薄膜及其晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201510571543.3 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106531612A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈征;谢美兰;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477;H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,侯艺 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶体管制备技术领域，尤其是一种透明氧化物半导体薄膜的制备方法，包括步骤一将金属硝酸盐溶液转移至一基底上，并在所述基底上固化后形成前驱体薄膜；步骤二将形成有所述前驱体薄膜的基底置于热台上进行热处理；其中，所述热台温度不低于200℃，不高于活化温度最大值；步骤三将经过所述步骤二处理后的前驱体薄膜置于马弗炉中退火活化；其中，控制升温速率不高于15℃/min，逐渐升温至所述活化温度最大值，保持所述活化温度最大值1～2小时，冷却后获得所述半导体薄膜。本发明通过引入器件制作工艺可以获得高性能的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 氧化物 半导体 薄膜 及其 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明氧化物半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：将金属硝酸盐溶液转移至一基底上，并在所述基底上固化后形成前驱体薄膜；步骤二：将形成有所述前驱体薄膜的基底置于已升至预设温度的热台上进行热处理；其中，所述预设温度不低于200℃，不高于所述前驱体薄膜的活化温度最大值；步骤三：将经过所述步骤二处理后的前驱体薄膜置于马弗炉中退火活化；其中，控制升温速率不高于15℃/min，逐渐升温至所述活化温度最大值，保持所述活化温度最大值1～2小时，冷却后获得所述半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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