[发明专利]成像电路和用于操作成像电路的方法有效
申请号: | 201510571876.6 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105405855B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | T.考奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王传道 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及成像电路和用于操作成像电路的方法。成像电路包括第一垂直沟槽栅极和相邻的第二垂直沟槽栅极。成像电路包括栅极控制电路。栅极控制电路以第一操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第一空间电荷区域并且以第二操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第二空间电荷区域。成像电路还包括图像处理电路,其基于在第一操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息,并且基于在第二操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的颜色信息。 | ||
搜索关键词: | 成像 电路 用于 操作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像电路(1、2、3、4、5),包括:半导体衬底(10);延伸到所述半导体衬底(10)中的第一垂直沟槽栅极(12)以及相邻的第二垂直沟槽栅极(13);栅极控制电路(239),配置为以第一操作模式操作以将第一电压提供给所述第一垂直沟槽栅极(12)并且将第二电压提供给所述第二垂直沟槽栅极(13),从而生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至所述第一垂直沟槽栅极(12)附近的第一集电接触(32)的第一空间电荷区域,并且以第二操作模式操作以将第三电压提供给所述第一垂直沟槽栅极(12),从而生成将所述第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至所述第一垂直沟槽栅极(12)附近的所述第一集电接触(32)的第二空间电荷区域;以及图像处理电路(235),配置为基于在所述第一操作模式下所述第一集电接触(32)处收集的所述第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息,并且基于在所述第二操作模式下所述第一集电接触(32)处收集的所述第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定所述对象的颜色信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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