[发明专利]覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法

摘要

本发明公开了一种覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法，所述制备方法包括提供待测的覆晶芯片，包括封装基底与制备于封装基底上的裸片，裸片的外部覆盖有塑封体，裸片与封装基底之间连接有金凸块，封装基底的底部焊接有锡球；研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背；将裸片的背面结合到一玻璃基板上，玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效分析检测样品的制备方法，通过研磨掉裸片的背面的塑封体，再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析，不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片，从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。

主权项

一种覆晶芯片失效分析电性定位中检测样品的制备方法，其特征在于，包括：提供待测的覆晶芯片，所述覆晶芯片包括封装基底与制备于所述封装基底上的裸片，所述裸片的外部覆盖有塑封体，所述裸片与所述封装基底之间连接有金凸块，所述封装基底的底部焊接有锡球；研磨所述裸片外部的所述塑封体直至裸露出所述裸片的晶背；将所述裸片的背面结合到一玻璃基板上，所述玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将所述玻璃基板上的导电片与所述封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。