[发明专利]一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法在审
申请号: | 201510573189.8 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105353468A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 王文辉;邓江东;钟桂雄;李四华;施林伟;李维 | 申请(专利权)人: | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法,包括步骤:提供光学平台,在所述光学平台上根据所需光纤位置开槽;将光纤一一对应地放置在所述槽中,将光纤固定在所述槽中;把光学平台和光纤一起切开;将切开后得到的两个端面放置在底板上对准并固定。一种用上述方法制备的光纤阵列,以及使用该光纤阵列得到的VOA器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 对准 直接 耦合 光纤 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)提供光学平台,在所述光学平台上根据所需光纤位置开槽;2)将光纤一一对应地放置在步骤1)制备的所述槽中,并将光纤固定在所述槽中,形成光纤阵列;3)把所述光学平台和所述光纤阵列一起切开;4)将切开后的左右两段光纤阵列相对的光纤切割面研磨抛光,放置在一底板上对准并固定。
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