[发明专利]大电流玻封肖特基二极管及制作工艺有效
| 申请号： | 201510573368.1 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105261603B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李东华;张聪;崔玉琦;马捷;韩希方 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/492;H01L23/08;H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250014*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺，所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线，上引线的底端设有一个金属带面，金属带面与芯片上表面压力接触，芯片下表面设有焊片，芯片通过焊片与下引线高温合金键合。所述制作工艺包括烧结工艺和封口工艺，本发明所述肖特基二极管可靠性性高，结温、存储温度、热冲击、引出端强度、耐湿、扫频震动、恒定加速度、盐雾等主要可靠性要求均满足军用领域使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 玻封肖特基 二极管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种大电流玻封肖特基二极管，其特征在于：包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线，上引线的底端设有一个金属带面，金属带面与芯片上表面压力接触，芯片下表面设有焊片，芯片通过焊片与下引线高温合金键合，键合温度为360‑370°C。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南市半导体元件实验所，未经济南市半导体元件实验所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510573368.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型换位导线
- 下一篇：一种双层封装结构及其制造方法
