[发明专利]光掩模坯在审
| 申请号： | 201510575362.8 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105425535A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 深谷创一;稻月判臣 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模坯 | ||
【主权项】：
光掩模坯，包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，其中该铬系材料膜为遮光膜，该铬系材料膜具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度；和在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成该铬系材料膜，并且在至少150℃的温度下进行热处理历时至少10分钟时，该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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