[发明专利]一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510577451.6 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105132878A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 周兵;刘竹波 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法。具体包括下列步骤：将预先化学清洗的单晶硅基片烘干，放置于阴极电弧装置的旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，通过离子源对硅基片表面进行溅射清洗；以高纯的金属钛和石墨作为靶材，采用直流和脉冲双激发源阴极等离子体放电技术，分别制备钛纳米功能层和类金刚石薄膜；根据需要进行后期真空退火处理。该方法制备工艺简单，可用于制备不同表面结构的类金刚石纳米多层复合薄膜。本发明制备的钛/类金刚石纳米多层薄膜具有高硬度、低应力和减摩耐磨损性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 制备 金刚石 纳米 多层 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法，其特征在于：采用单晶硅片作为基底，通过离子源对硅基片表面进行溅射清洗；以高纯的金属钛和石墨作为靶材，采用直流和脉冲双激发源阴极等离子体放电技术，分别制备钛纳米功能层和类金刚石薄膜；最后进行退火处理制得。
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