[发明专利]一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201510577885.6 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105237034A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘永胜;万佳佳;董宁;张青;门静;成来飞;张立同 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法，创造性地将模板法的思想与CVI工艺的特点结合起来，提出采用CVI法制备多孔SiC陶瓷，该法得到的多孔SiC陶瓷孔径较为均匀，且孔隙率可控，材料具有很大的比表面积。该方法可解决其他模板法出现的制备工艺较复杂，烧结温度较高等技术问题，且该工艺易于制备复杂构件，大大扩展了该法制备的多孔SiC陶瓷的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 模板 制备 多孔 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将按照设计要求加工的模板放入化学气相渗透炉CVI炉，以MTSCH3SiCl3作为先驱体，氢气作为载气和稀释气体，氩气作为保护气体进行化学气相渗透；在CVI过程中，生成的SiC陶瓷相覆盖在模板上得到多孔SiC陶瓷；所述模板为泡沫镍、泡沫碳或金属泡沫模板；步骤2、去除模板：当模板为泡沫镍或金属泡沫模板时采用酸化方法去除模板，当模板是泡沫碳时利用低温氧化燃烧的方法去除模板，得到多孔SiC陶瓷。
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