[发明专利]用于新兴存储装置的电介质修复有效
| 申请号： | 201510578075.2 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428231B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 尼莉莎·德雷格;索斯藤·利尔;黛安·海姆斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 新兴 存储 装置 电介质 修复 | ||
【主权项】：
1.一种修复电介质层的方法，其包括：提供包括多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠，其中所述多个层包括电介质层和金属层；图案化所述非易失性随机存取存储器堆叠的所述金属层，其中所述图案化对所述电介质层的相对于所述金属层凹进的横向侧部造成损害；以及通过使用沉积处理沉积电介质材料在所述电介质层的凹进的所述横向侧部上来修复所述电介质层的横向部分，所述沉积处理化学选择性地沉积电介质材料在所述电介质层的相对于所述金属层凹进的所述侧部上而使所述金属层暴露于所述沉积处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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