[发明专利]具有可见光及紫外光探测功能的单芯片影像传感器及其探测方法在审
| 申请号： | 201510578239.1 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428376A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 芯视达系统公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J1/42 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 开曼群岛可里克特广*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有可见光及紫外光探测功能的单芯片影像传感器及其探测方法，该传感器包括：位于单芯片上的可见光传感器和位于UV感测区域的UV传感器，该传感器能够在可见光环境下拍摄影像，并实时或分时地检测出其中的紫外线信息。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可见光 紫外光 探测 功能 芯片 影像 传感器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种单芯片影像传感器，其特征在于，包括：位于单芯片上的可见光传感器和位于UV感测区域的UV传感器，该UV传感器为UV带通滤光层；所述的影像传感器在可见光环境下拍摄影像，并实时或分时地检测出其中的紫外线信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯视达系统公司，未经芯视达系统公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510578239.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：提高背照式红外图像传感器性能的方法
- 下一篇：显示面板与薄膜晶体管阵列基板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
