[发明专利]一种芯片级系统传感器及其制备方法有效
申请号: | 201510578542.1 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105253851B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 赵照 | 申请(专利权)人: | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及传感器技术领域,特别涉及一种新型的芯片级系统传感器(SOS,System On Sensor)及其制作方法,包括传感元,用于采集测量所需参数;MEMS传感平台,用于控制传感元采集信号并将采集到的信号转换为电信号;ASIC集成电路,用于控制MEMS传感平台采集信号并且将采集到的信号进行数据运算、分析、控制、输出;所述ASIC集成电路、MEMS传感平台以及传感元是采用单片集成工艺在硅晶圆片上一体化制作而成,相互之间通过立体电路互联结构组态起来,能够将传感、分析、控制、通讯功能集成在体积很小的芯片级传感器内部,实现系统级自我闭环,解决传统外围电路的存在导致的信号不稳定、可靠性和精度不高的问题,全面提高传感器产品性能,尤其适用于安装至高精度、低功耗、超小体积、智能化终端产品上。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片级 系统 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片级系统传感器,其特征在于:包括传感元,用于采集信号;MEMS传感平台,用于控制传感元采集信号并将采集到的信号转换为电信号;ASIC集成电路,用于控制MEMS传感平台采集信号并且将采集到的信号进行数据运算、分析、控制、输出;所述ASIC集成电路、MEMS传感平台以及传感元采用单片集成工艺在硅晶圆片衬底上自下而上一体化制作而成,相互之间通过立体IC电路互联结构组态起来。
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