[发明专利]一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510578544.0 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105112870B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵照 | 申请（专利权）人： | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电传感器技术领域，特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能，提升氧化钒薄膜的热量吸收率，使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8～4.2%/K，有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 氧化 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁电氧化钒复合薄膜，其特征在于：该铁电氧化钒复合薄膜是由金属铌或铌基铁电材料薄膜与氧化钒薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜，其中，氧化钒薄膜沉积在MEMS结构晶圆上，金属铌或铌基铁电材料薄膜沉积在氧化钒薄膜上。
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