[发明专利]一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品

摘要

本发明公开了一种有序垂直孔道双通膜的制备方法及其产品，制备方法包括在基底I上制备具有垂直孔道的介孔SiO2膜；将PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)溶液旋涂在该介孔SiO2膜上，干燥，得到负载于所述基底I上的PMMA/介孔SiO2膜，放入刻蚀液刻蚀；洗涤，转移至基底II，干燥，在浸泡液中浸泡，即得有序垂直孔道双通膜。本发明制备的有序垂直孔道双通膜利用PMMA将介孔SiO2薄膜从实心的基底转移至多孔的基底，不仅使介孔SiO2薄膜得到支撑，还保持介孔SiO2薄膜的两端通畅，可以实现精确的分子分离。

主权项

一种有序垂直孔道双通膜的制备方法，具体为：(1)以ITO电极作为基底I，在其上制备具有垂直孔道的介孔SiO2膜：将基底I放入0.16g CTAB、80μL TEOS、70mL水、30mL乙醇和10μL质量百分比浓度为25％的氨水组成的混合溶液I中静置生长12h；(2)以苯乙醇为溶剂制备5％PMMA溶液，以3000rpm的速度将PMMA溶液旋涂在该介孔SiO2膜上；室温晾干1h，115℃烘干15min；得到负载于基底I上的PMMA/介孔SiO2膜；(3)以2M盐酸为刻蚀液，将负载于基底I上的PMMA/介孔SiO2膜放入刻蚀液中刻蚀12h；此时PMMA/介孔SiO2膜会与基底I分开；(4)将PMMA/介孔SiO2膜从刻蚀液中取出，于水中润洗10min，重复3次洗涤过程；以具有4μm孔径的多孔氮化硅窗口为基底II，将PMMA/介孔SiO2膜转移至基底II上，室温晾干1h，100℃烘干15min；以丙酮为浸泡液，将转移后的PMMA/介孔SiO2膜放入浸泡液中浸泡6h，除去PMMA，即得有序垂直孔道双通膜；该有序垂直孔道双通膜具有垂直的孔道、均一的孔径、极高孔隙率和超薄厚度，具体孔径为2.3nm，孔隙率为4×1012pores/cm2，厚度为60nm。