[发明专利]一种形成自对准接触部的方法

摘要

本发明提供了一种形成自对准接触部的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅堆叠以及位于所述栅堆叠两侧的侧墙，所述侧墙两侧的衬底上形成有源/漏区及位于所述源/漏区之上的金属硅化物层；依序形成阻挡掩膜层及位于所述侧墙之外、所述阻挡掩膜层之上的第二侧墙；形成层间介质层，并进行表面平坦化直至暴露所述栅堆叠；去除所述第二侧墙及与所述第二侧墙相接的所述阻挡掩膜层，暴露所述金属硅化物层；以金属填满凹槽，并进行平坦化直至暴露所述栅堆叠，能有效解决现有技术中无法精确且简易的减小栅极与接触部之间的距离的问题。

主权项

1.一种形成自对准接触部的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅堆叠以及位于所述栅堆叠两侧的侧墙，所述侧墙两侧的衬底上形成有源/漏区及位于所述源/漏区之上的金属硅化物层；依序形成阻挡掩膜层及位于所述侧墙之外、所述阻挡掩膜层之上的辅助侧墙；形成层间介质层，并进行表面平坦化直至暴露所述栅堆叠；去除所述辅助侧墙及与所述辅助侧墙相接的所述阻挡掩膜层，暴露所述金属硅化物层；以金属填满凹槽，并进行平坦化直至暴露所述栅堆叠；所述栅堆叠依序包括：衬底之上的栅介质层、所述栅介质层之上的栅电极层及所述栅电极层之上的硬掩膜层；所述方法还包括：去除所述栅堆叠，形成金属栅凹槽；在所述金属栅凹槽内形成金属栅介质层；以金属填充所述金属栅凹槽；进行平坦化直至暴露所述侧墙；所述以金属填满凹槽，并进行平坦化直至暴露所述栅堆叠包括：以填充物填充凹槽，并进行平坦化直至暴露所述栅电极层，所述填充物与所述栅电极层的选择刻蚀比≥50:1，所述填充物与所述栅介质层的选择刻蚀比≥50:1；去除所述栅堆叠，并形成金属栅介质层，且所述金属栅介质层与所述填充物的选择刻蚀比≥50:1；去除所述填充物；以金属填充凹槽并进行平坦化，直至暴露所述侧墙。