[发明专利]一种SOI基的PN结建模方法有效
| 申请号： | 201510580438.6 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105138795B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;赵博华;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于SOI的PN结建模方法，包括：a)根据PN结上所加偏压的范围，将PN结的工作区域分为三个阶段，分别为：第一阶段，其中PN结上所加的偏压大于第一阈值电压V1；第二阶段，其中PN结上所加的偏压小于第一阈值电压V1且大于第二阈值电压V2；第三阶段，其中PN结上所加的偏压小于第二阈值电压V2；b)对处于上述三个阶段的PN结分别建模，其中，构造第一阶段函数C1(x)和第三阶段函数C3(x)分别对处于第一阶段和第三阶段的PN结进行拟合；构造第二单调函数C2(x)对处于第二阶段的PN结的电容进行拟合，该函数满足:C2(V1)＝C1(V1)；C2(V2)＝C3(V2)。本发明能够准确的对注入不到底的SOI基PN结的底面结电容进行拟合。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 建模 拟合 阶段函数 单调函数 工作区域 结电容 电容 底面 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI的PN结建模方法，包括：a)根据PN结上所加偏压的范围，将PN结的工作区域分为三个阶段，分别为：第一阶段，其中PN结上所加的偏压大于第一阈值电压V1；第二阶段，其中PN结上所加的偏压小于第一阈值电压V1且大于第二阈值电压V2；第三阶段，其中PN结上所加的偏压小于第二阈值电压V2；b)对处于上述三个阶段的PN结分别建模，其中，构造第一阶段函数C1(x)和第三阶段函数C3(x)分别对处于第一阶段和第三阶段的PN结进行拟合，C1(x)和C3(x)分别满足：C1(Vd)＝(area*cjo+pj*cjsw)*phi*(1‑pow((1‑Vd/phi),(1‑m)))/(1‑m)，C3(Vd)＝pj*cjsw*phi*(1‑pow((1‑Vd/phi),(1‑m)))/(1‑m)；构造第二单调函数C2(x)对处于第二阶段的PN结的电容进行拟合，该函数满足:C2(V1)＝C1(V1)；C2(V2)＝C3(V2)；其中area为PN结面积，pj为PN结周长，cjo为单位面积电容，cjsw为单位边长电容，Vd为PN结电压，phi为PN结导通电压，m为拟合参数，V1为电容开始剧烈减小时的电压，V2为开始没有底面电容时的电压，a,b为过渡区拟合参数；第一阈值电压V1和第二阈值电压V2的值是代入符号考虑的。
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