[发明专利]一种差模反馈电路有效

专利信息
申请号: 201510580691.1 申请日: 2015-09-11
公开(公告)号: CN105207660B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 赵建中;曹成成;蒋见花;刘海南;周玉梅 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03F3/45
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种差模反馈电路,包括:发送器主体电路,包括:第三、第四、第五PMOS管,第三、第四NMOS管,以及由第一、第二PMOS管、第一、第二NMOS管和第一、第二负载电阻组成的互补桥式开关管;差模取样电路,包括:第九、第十、第十一PMOS管、第一运算放大器、第一、第二电阻;反馈电路,包括:第五、第六、第七、第八NMOS管,第六、第七、第八PMOS管以及第二运算放大器。本发明能解决MLVD发送器的负载阻抗受总线阻抗影响差分输出幅度不稳定问题。本发明的电路结构简单、实现容易,可提高发送器在总线应用中阻抗变化的适应能力,并且能减小输出信号的过冲。 1
搜索关键词: 反馈电路 运算放大器 发送器 桥式开关管 电路结构 负载电阻 负载阻抗 取样电路 输出幅度 输出信号 稳定问题 主体电路 总线应用 总线阻抗 阻抗变化 差模 电阻 减小
【主权项】:
1.一种差模反馈电路,包括:发送器主体电路(203),包括:第三、第四、第五PMOS管(P3、P4、P5),第三、第四NMOS管(N3、N4),以及由第一、第二PMOS管(P1、P2)、第一、第二NMOS管(N1、N2)和第一、第二负载电阻(RM1、RM2)组成的互补桥式开关管;其中,第三PMOS管(P3)的漏端接电源电压,第三NMOS管(N3)的漏端接地,互补桥式开关管接在第三PMOS管(P3)和第三NMOS管(N3)的源端之间,第四PMOS管(P4)和第四NMOS管(N4)的源端相连,漏端分别接电源电压和地,第五PMOS管的漏端接电源电压,源端作为发送器主体电路(203)输出端;差模取样电路(204),包括:第九、第十、第十一PMOS管(P9、P10、P11)、第一运算放大器(OP1)、第一、第二电阻(R1、R2);其中,第十一PMOS管、第一运算放大器(OP1)以及第二电阻(R2)组成负反馈电路,第九、第十PMOS管(P9、P10)的源端与所述负反馈电路的共模输入端,漏端与所述互补桥式开关管的负载电阻并联,第一运算放大器(OP1)的输出端作为差模取样电路(204)的输出端;反馈电路(205),包括:第五、第六、第七、第八NMOS管(N5、N6、N7、N8),第六、第七、第八PMOS管(P6、P7、P8)以及第二运算放大器(OP2);其中,所述第六、第七PMOS管(P6、P7)、第五、第六NMOS管(N5、N6)和第二参考电流源(IREF2)构成电流减法电路;所述的第七、第八NMOS管(N7、N8)、第八PMOS管(P8)和第一参考电流源(IREF1)构成电流加法电路;所述第二运算放大器(OP2)将差模取样电路(204)的输出与参考电压(VREF)进行比较,其输出端与第六PMOS管的栅极相连。
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