[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。该方法包括：A、形成第一面板；B、对第一面板中的第一金属层、第一绝缘层和多晶硅层实施第一光罩制程，以形成栅极；C、去除第一绝缘层中位于第二、第三区域的部分，以露出多晶硅层位于第二区域和第三区域的部分；D、并对多晶硅层和第一金属层的表面上的第一透明电极层和第二绝缘层实施第二光罩制程，以形成第一、第二通孔；E、对第一透明电极层上的第一透明电极层和第二金属层实施第三光罩制程，以形成源极和漏极；F、对第二绝缘层、源极、漏极以及第一透明电极层上的第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。本发明能缩减薄膜晶体管阵列基板的制造周期，简化制造流程。

主权项

一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、形成第一面板，其中，所述第一面板包括基板、缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层和第一金属层，所述第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；B、对所述第一面板中的所述第一金属层、第一绝缘层和所述多晶硅层实施第一光罩制程，并去除所述第一金属层中位于所述第二区域和所述第三区域中的部分，以形成薄膜晶体管中的栅极；C、去除所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分，以露出所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的部分；D、在所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的表面以及所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施第二光罩制程，以分别在所述第二区域和所述第三区域形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均使部分所述多晶硅层显露；E、在所述第一透明电极层上设置第二金属层，并对所述第一透明电极层和所述第二金属层实施第三光罩制程，以在所述第二金属层中形成所述薄膜晶体管中的源极和漏极，以及在所述第一透明电极层中形成第一透明电极；F、在所述第二绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述第一透明电极层上设置钝化层和第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。