[发明专利]ESD保护结构有效
| 申请号： | 201510581910.8 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106531734B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘大雁 | 申请（专利权）人： | 上海岭芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型低成本高防护效果的ESD结构，该ESD保护结构包括：基板，该基板具有第一导电类型；平行设置的多个注入区，该多个注入区具有第二导电类型，其中该多个注入区中的一部分构成漏极且该注入区中的另一部分构成源极；环绕该漏极形成的环形阱区，该环形阱区具有第二导电类型，且该环形阱区与该漏极串联。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种ESD保护结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有第一导电类型；平行设置的多个注入区，所述多个注入区具有第二导电类型，其中所述多个注入区中的一部分构成漏极且所述注入区中的另一部分构成源极；环绕所述漏极形成的环形阱区，所述环形阱区具有第二导电类型，且所述环形阱区与所述漏极串联，所述环形阱区的开口暴露所述漏极的底部的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
