[发明专利]RRAM器件

摘要

本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件以及相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有被下部ILD层围绕的下部金属互连层和设置在下部金属互连层上方的底部电极。底部电极具有被底部介电层围绕的下部和比下部宽的上部。底部介电层设置在下部金属互连层和下部ILD层上方。集成电路器件还包括具有位于底部电极上的可变电阻的RRAM介电层和位于RRAM介电层上方的顶部电极。集成电路器件还包括位于底部介电层上方的顶部介电层，顶部介电层与底部电极的上部、RRAM介电层和顶部电极的侧壁均邻接。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：下部金属互连层，被下部层间介电(ILD)层围绕；底部电极，设置在所述下部金属互连层上方，并且包括被底部介电层围绕的下部和比所述下部宽的上部，所述下部的侧壁是弧形的，并且所述上部具有锥形侧壁，其中，所述底部介电层设置在所述下部金属互连层和所述下部层间介电层上方；RRAM介电层，具有可变电阻，设置在所述底部电极上；顶部电极，设置在所述RRAM介电层上方；以及顶部介电层，设置在所述底部介电层上方，所述顶部介电层与所述底部电极的上部的锥形侧壁、所述RRAM介电层和所述顶部电极的侧壁均邻接并且覆盖所述顶部电极的顶面。