[发明专利]一种电镀填充硅基TSV转接板的方法

摘要

本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu‑TSV与Cu‑Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

主权项

1.一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)采用刻蚀有硅通孔TSV的晶圆，所述晶圆上带有二氧化硅绝缘层、钛阻挡层和Cu种子层，然后将晶圆制备成带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，单面粘贴绝缘膜；2)将经过步骤1)处理的单面粘贴绝缘膜的晶圆，进行预润湿处理，以保证通孔内有效填充；3)经过步骤2)处理的晶圆，该晶圆含有不同孔径通孔，将该晶圆未粘贴绝缘膜的一面与阳极对面平行放置于镀液中；4)采用电镀技术单面填充经步骤3)处理的硅通孔TSV和焊盘Pad；5)除去经过步骤1)粘贴在通孔晶圆一面上的绝缘膜；6)将经过步骤5)除去绝缘膜的晶圆的一面与阳极对面平行放置于含有添加剂的镀液中；7)采用电镀技术填充通孔中经过步骤6)后未被填充的硅通孔TSV部分和另一面的焊盘Pad区域；8)将步骤7)中电镀填充后的硅通孔TSV晶圆，用氢氧化钠溶液除去干膜光刻胶并用去离子水清洗，使用氨水和双氧水的混合液去除Cu种子层并用去离子水清洗，制备无暇链接的Cu‑TSV与Cu‑Pad。