[发明专利]用于减少背面沉积和减少基片边缘处的厚度变化的系统和方法

摘要

用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。 1

主权项

1.一种用于在基片上沉积薄膜的方法，包括：

在处理室的反应体积内将基片布置到基片支撑件上；

有选择地将处理气体引入所述处理室的所述反应体积并生成RF等离子体，以将膜沉积到所述基片上；

在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；和

在所述膜的沉积期间和所述RF等离子体在所述反应体积内生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述基片的背面边缘，

其中，供应所述净化气体包括：

使所述净化气体以大于或等于150sccm的速率流动，以在所述RF等离子体生成期间净化所述背面边缘，

提供分子氧作为净化气体，并且

提供所述分子氧作为净化气体，以(i)在所述RF等离子体在所述反应体积内生成期间，抑制最贴近所述背面边缘的等离子体点燃和空心阴极放电特征中的至少一个，和(ii)抑制与所述净化气体相关联的寄生功率损耗。

2.如权利要求1所述的方法，其中，将所述基片夹紧到所述基片支撑件上使用的是真空压力。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述膜包括二氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中，使用原子层沉积来沉积所述膜。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述处理室保持在2至3托(Torr)的真空压力。

6.如权利要求2所述的方法，其中，所述夹紧包括：

在所述基片支撑件的面对基片的表面上设置腔，其中，所述腔与阀是流体连通的；

设置与所述阀流体连通的真空源；和

控制所述阀，以将所述基片真空夹紧到所述基片支撑件上。

7.如权利要求1所述的方法，其中，提供所述反应气体包括：

在靠近所述基片的边缘的所述基片支撑件的面对基片的表面上设置腔，其中，所述腔与阀是流体连通的；

设置与所述阀流体连通的反应气体源；和

控制所述阀，以提供所述反应气体来净化所述基片的所述背面边缘。