[发明专利]温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510582194.5 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN106486385A 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 姜崇义;邱云贵 申请(专利权)人: 姜崇义
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L23/02;H01L23/34
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 张晶,王莹
地址: 中国台湾桃园市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本申请提供一种温测组件的封装方法,包含下列步骤提供盖板,并于盖板的第一表面上形成多个封装结构图案。在封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层。形成蚀刻保护区域,以及蚀刻热吸收层结构以产生开槽以暴露热电阻层。在热吸收层结构以及岛状体上形成金属层,其通过开槽电接触热电阻层。在封装结构图案上形成穿槽以暴露盖板。通过穿槽对盖板进行蚀刻在热吸收层结构下方形成槽穴,由蚀刻保护区域形成多个支撑柱。在衬底上设置芯片、电接触点以及焊接区。在真空中将盖板朝向芯片覆盖衬底进行焊接。
搜索关键词: 组件 封装 方法 结构 及其 制造
【主权项】:
一种温测组件的封装方法,其特征在于,所述方法包含:提供盖板,所述盖板的第一表面上具有多个封装结构图案,每一所述多个封装结构图案包含多个岛状体以及环状平台(bonding ring);在所述盖板中形成多个蚀刻保护区域;在每一所述多个封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层;蚀刻所述热吸收层结构以产生多个开槽,所述多个开槽暴露所述热电阻层;在所述热吸收层结构以及所述岛状体上形成第一金属层,所述第一金属层通过所述多个开槽电接触所述热电阻层;在所述环状平台上形成第二金属层;在所述封装结构图案上形成多个穿槽,所述多个穿槽暴露所述盖板;通过所述多个穿槽对所述盖板进行蚀刻,以在所述热吸收层结构下方形成槽穴,并由所述多个蚀刻保护区域形成多个支撑柱;提供衬底,并在所述衬底上形成芯片、多个电接触点,以及至少焊接区;以及在真空中将所述盖板的所述第一表面朝向所述芯片,覆盖所述衬底,将所述多个岛状体上的所述第一金属层与所述多个电接触点相焊接,以及将所述环状平台上的所述第二金属层与所述至少一个焊接区相焊接。
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