[发明专利]温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法在审
申请号: | 201510582194.5 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN106486385A | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 姜崇义;邱云贵 | 申请(专利权)人: | 姜崇义 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L23/02;H01L23/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 张晶,王莹 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种温测组件的封装方法,包含下列步骤提供盖板,并于盖板的第一表面上形成多个封装结构图案。在封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层。形成蚀刻保护区域,以及蚀刻热吸收层结构以产生开槽以暴露热电阻层。在热吸收层结构以及岛状体上形成金属层,其通过开槽电接触热电阻层。在封装结构图案上形成穿槽以暴露盖板。通过穿槽对盖板进行蚀刻在热吸收层结构下方形成槽穴,由蚀刻保护区域形成多个支撑柱。在衬底上设置芯片、电接触点以及焊接区。在真空中将盖板朝向芯片覆盖衬底进行焊接。 | ||
搜索关键词: | 组件 封装 方法 结构 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种温测组件的封装方法,其特征在于,所述方法包含:提供盖板,所述盖板的第一表面上具有多个封装结构图案,每一所述多个封装结构图案包含多个岛状体以及环状平台(bonding ring);在所述盖板中形成多个蚀刻保护区域;在每一所述多个封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层;蚀刻所述热吸收层结构以产生多个开槽,所述多个开槽暴露所述热电阻层;在所述热吸收层结构以及所述岛状体上形成第一金属层,所述第一金属层通过所述多个开槽电接触所述热电阻层;在所述环状平台上形成第二金属层;在所述封装结构图案上形成多个穿槽,所述多个穿槽暴露所述盖板;通过所述多个穿槽对所述盖板进行蚀刻,以在所述热吸收层结构下方形成槽穴,并由所述多个蚀刻保护区域形成多个支撑柱;提供衬底,并在所述衬底上形成芯片、多个电接触点,以及至少焊接区;以及在真空中将所述盖板的所述第一表面朝向所述芯片,覆盖所述衬底,将所述多个岛状体上的所述第一金属层与所述多个电接触点相焊接,以及将所述环状平台上的所述第二金属层与所述至少一个焊接区相焊接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于姜崇义,未经姜崇义许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510582194.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造