[发明专利]一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法

摘要

本发明涉及一种一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片，包括：以偏钨酸铵、钨酸钠中的一种或两种混合物为钨源，以硫脲为硫源，按钨源中的钨、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8～2.5)，并按钨源中的钨与NaCl的摩尔比为1:(50～600)计，将钨源、硫源和NaCl加入去离子水中溶解，再冷冻和进行真空干燥，得到混合物；将制得的混合物研磨成粉末，过筛后铺于方舟中，置于管式炉恒温区进行煅烧和化学气相沉积，得到产物A；水洗并进行真空干燥，得到二硫化钨纳米片。本发明可得到结晶度高、质量好、尺寸均一、厚度较薄、可量产的单晶二硫化钨纳米片。

主权项

一种化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法，包括以下步骤：(1).以偏钨酸铵、钨酸钠中的一种或两种混合物为钨源，以硫脲为硫源，按钨源中的钨、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8～2.5)，并按钨源中的钨与NaCl的摩尔比为1:(50～600)计，将钨源、硫源和NaCl加入去离子水中溶解，搅拌配成溶液，再超声混合均匀后于0℃下冷冻，待溶液全部结冰后置于冷冻干燥机于较冷温度(‑50℃～‑30℃)进行真空干燥，得到混合物；(2).将步骤(1)制得的混合物研磨成粉末，过100‑300目筛后铺于方舟中，置于管式炉恒温区进行煅烧：以N2、He和Ar的一种气体或混合气体作为惰性气体源，先以流量为200‑400ml/min通入惰性气体10‑30分钟以排除空气；再以Ar作为保护气，将保护气流量固定为50‑300ml/min，以1‑10℃/min的升温速度升温至600‑750℃，保温1‑3h进行化学气相沉积，反应结束后随炉冷却至室温，得到产物A；(3).收集步骤(2)制得的粉体产物A，水洗至煅烧产物中没有NaCl为止，将水洗后的产物置于冷冻干燥机中于较冷温度(‑50℃～‑30℃)进行真空干燥8h，得到二硫化钨纳米片。