[发明专利]具有电流传感器的半导体器件

摘要

本公开提供了具有电流传感器的半导体器件。一种半导体器件包括半导体本体。半导体本体包括负载晶体管部分和传感器晶体管部分。负载晶体管部分的第一源极区域和传感器晶体管的第二源极区域彼此电分离。在公共栅极沟槽中的公共栅极电极从第一表面延伸至半导体本体中，其中公共栅极沟槽的第一部分在负载晶体管部分中，并且公共栅极沟槽的第二部分在传感器晶体管部分中。在场电极沟槽中的场电极从第一表面延伸至半导体本体中。场电极沟槽的平行于第一表面的最大尺寸小于场电极沟槽的深度。

主权项

1.一种半导体器件(10)，包括：半导体本体(100)，包括负载晶体管部分(400)和传感器晶体管部分(500)；所述负载晶体管部分(400)的第一源极区域(102)和所述传感器晶体管部分(500)的第二源极区域(104)，所述第一源极区域(102)和所述第二源极区域(104)彼此电分离；公共栅极电极(106)，在公共栅极沟槽(108)中，从第一表面(100a)延伸到所述半导体本体(100)中，其中所述公共栅极沟槽(108)的第一部分(108a)在所述负载晶体管部分(400)中并且所述公共栅极沟槽(108)的第二部分(108b)在所述传感器晶体管部分(500)中；以及场电极(110)，在场电极沟槽(112)中，从所述第一表面(100a)延伸到所述半导体本体(100)中，其中所述场电极沟槽(112)的平行于所述第一表面(100a)的最大尺寸小于所述场电极沟槽(112)的深度。