[发明专利]腔体起辉共振点的测量方法在审
| 申请号： | 201510585284.X | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106521458A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王莹莹;周仁;刘忠武;吕欣 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人： | 李绪岩 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 腔体起辉共振点的测量方法，其具体步骤为步骤1.将矢量网络分析仪发射信号端口的测试同轴电缆线连接至PECVD设备网络匹配器的射频输入端；步骤2.设置矢量网络分析仪参数测试量为输入端反射系数S11，测量频率范围为10MHz～20MHz，测试点频率为13.56MHz，该频率即射频电源频率；步骤3.调节PECVD设备网络匹配器中两个可调电容的容值，使13.56MHz的标记点为S11曲线的最小值，此时的电容值即为腔体的共振点。本发明方法简单，可以很容易的找到腔体起辉的共振点。 | ||
| 搜索关键词： | 腔体起辉 共振 测量方法 | ||
【主权项】：
腔体起辉共振点的测量方法，其具体步骤为：步骤1.将矢量网络分析仪发射信号端口的测试同轴电缆线连接至PECVD设备网络匹配器的射频输入端；步骤2.设置矢量网络分析仪参数：测试量为输入端反射系数S11，测量频率范围为10MHz～20MHz，测试点频率为13.56MHz，该频率即射频电源频率；步骤3.调节PECVD设备网络匹配器中两个可调电容的容值，使13.56MHz的标记点为S11曲线的最小值，此时的电容值即为腔体的共振点。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
