[发明专利]阵列基板以及液晶面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板，其包括多个像素结构，每一像素结构包括设置于玻璃基板上的薄膜晶体管以及像素电极，所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层，所述像素电极通过设置于所述钝化层中的过孔电性连接到所述薄膜晶体管，其中，所述钝化层中设置有沟槽结构，所述沟槽结构包括周期性排列的多个凹陷部以及间隔每两个相邻凹陷部的凸起部；所述钝化层中还设置有一第二沟槽，所述第二沟槽环绕于所述沟槽结构的四周，所述第二沟槽将多个凹陷部相互连通；所述像素电极呈一整面地覆设于所述凹陷部和所述凸起部上，并且，所述像素电极的边缘延伸至所述第二沟槽中。本发明还公开了包含如上所述阵列基板的液晶面板。 1

主权项

1.一种阵列基板，包括多个像素结构(20)，每一像素结构(20)包括设置于玻璃基板(10)上的薄膜晶体管(30)以及像素电极(40)，所述薄膜晶体管(30)与所述像素电极(40)之间设置有钝化层(50)，所述像素电极(40)通过设置于所述钝化层(50)中的过孔(60)电性连接到所述薄膜晶体管(30)，其特征在于，所述钝化层(50)中设置有沟槽结构(51)，所述沟槽结构(51)包括周期性排列的多个凹陷部(511)以及间隔每两个相邻凹陷部(511)的凸起部(512)；所述钝化层(50)中还设置有一第二沟槽(52)，所述第二沟槽(52)环绕于所述沟槽结构(51)的四周，所述第二沟槽(52)将多个凹陷部(511)相互连通；所述像素电极(40)呈一整面连续地覆设于所述凹陷部(511)和所述凸起部(512)上，并且，所述像素电极(40)的边缘延伸至所述第二沟槽(52)中；

其中，所述凹陷部(511)的深度小于所述钝化层(50)的厚度，所述第二沟槽(52)与所述凹陷部(511)的深度相等，所述第二沟槽(52)的宽度大于所述凹陷部(511)的宽度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔(60)设置于所述沟槽结构(51)的中心。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，以所述过孔(60)为原点，设置X轴和Y轴，将所述沟槽结构(51)所在区域分为第一畴(51a)、第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)，所述凸起部(512)和所述凹陷部(511)在第一畴(51a)、第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)内均相对于X轴倾斜；其中，第一畴(51a)和第二畴(51b)的凸起部(512)和凹陷部(511)与第三畴(51c)和第四畴(51d)内的凸起部(512)和凹陷部(511)关于X轴对称，第一畴(51a)和第四畴(51d)内的凸起部(512)和凹陷部(511)与第二畴(51b)和第三畴(51c)内的凸起部(512)和凹陷部(511)关于Y轴对称。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一畴(51a)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈45°倾斜，所述第二畴(51b)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈135°倾斜，所述第三畴(51c)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈‑135°倾斜，所述第四畴(51d)中的凸起部(512)和凹陷部(511)相对于X轴呈‑45°倾斜。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部(512)和所述凹陷部(511)的宽度相等。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)的材料为ITO。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层(50)的材料为SiN_x或SiO_x。

8.一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板(100)和滤光基板(200)以及位于所述阵列基板(100)和滤光基板(200)之间的液晶层(300)，其特征在于，所述阵列基板(100)为权利要求1‑7任一所述的阵列基板。