[发明专利]非晶硅半导体TFT背板结构

摘要

本发明提供一种非晶硅半导体TFT背板结构，其半导体层(4)为多层结构，包括接触栅极绝缘层(3)的底层非晶硅层(41)、接触源级(6)与漏极(7)的N型重掺杂非晶硅层(42)、夹设于底层非晶硅层(41)与N型重掺杂非晶硅层(42)之间的至少两层N型轻掺杂非晶硅层(43)、将每相邻两层轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第一中间非晶硅层(44)、及将N型重掺杂非晶硅层(42)与最靠近该N型重掺杂非晶硅层(42)的轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第二中间非晶硅层(45)；这种结构进一步降低了源漏极和半导体层之间的能量势垒，使电子注入更加容易，保证了开态电流不会降低，同时可以提高空穴传输的势垒，降低漏电流，提高TFT的可靠性和电学稳定性。

主权项

1.一种非晶硅半导体TFT背板结构，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、覆盖所述栅极(2)与基板(1)的栅极绝缘层(3)、于所述栅极(2)上方设于栅极绝缘层(3)上的半导体层(4)、及设于所述栅极绝缘层(3)上分别接触半导体层(4)上表面的源极(6)与漏极(7)；所述半导体层(4)为多层结构，包括接触栅极绝缘层(3)的底层非晶硅层(41)、接触所述源极 (6)与漏极(7)的N型重掺杂非晶硅层(42)、夹设于所述底层非晶硅层(41)与N型重掺杂非晶硅层(42)之间的至少两层N型轻掺杂非晶硅层(43)、将每相邻两层轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第一中间非晶硅层(44)、及将所述N型重掺杂非晶硅层(42)与最靠近该N型重掺杂非晶硅层(42)的轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第二中间非晶硅层(45)；一沟道区(46)于所述半导体层(4)的中部贯穿所述N型重掺杂非晶硅层(42)、第二中间非晶硅层(45)、第一中间非晶硅层(44)、与全部N型轻掺杂非晶硅层(43)；所述N型轻掺杂非晶硅层(43)按照从下到上的顺序逐层提高磷离子掺杂浓度。