[发明专利]一种核径迹蚀刻膜的制作方法在审
| 申请号： | 201510586399.0 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105148738A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 吴振东;梁海英;焦学胜;陈东风;鞠薇;傅元勇;王雪杰 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D71/06;B01D69/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种核径迹蚀刻膜的制作方法，包括以下步骤：辐照，使用加速器产生的适当能量的荷能离子辐照聚合物薄膜，使离子在薄膜中的射程大于薄膜厚度的2/3且小于薄膜厚度；蚀刻，将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液中进行蚀刻；清洗，用清水清洗蚀刻后的聚合物薄膜；烘干，将清洗完毕的薄膜聚合物烘干。本发明提供的制作方法，其工艺简单，易于实施，成本低，采用该方法，可制作出具有小口端截面圆直径(D1)为0.1-15微米、大口端截面圆直径(D2)为0.2-20微米的单锥形微孔的重离子微孔膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 径迹 蚀刻 制作方法 | ||
【主权项】：
一种核径迹蚀刻膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：辐照：使用加速器产生的适当能量的荷能离子辐照聚合物薄膜，使离子在薄膜中的射程大于薄膜厚度的2/3且小于薄膜厚度；蚀刻：将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液中进行蚀刻；清洗：用清水清洗蚀刻后的聚合物薄膜；烘干：将清洗完毕的薄膜聚合物烘干。
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