[发明专利]一种显示屏阵列基板加工工艺有效
申请号: | 201510586560.4 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN105116690B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 朱棋锋 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G09G3/20 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所31280 | 代理人: | 乐卫国 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示屏阵列基板加工工艺,包括先获取阵列基板最终样品的线宽统计值,然后根据阵列基板最终样品的线宽统计值,选用微补正曝光设备对产品线宽进行细微修正,从而改善整面阵列基板的线宽均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示屏 阵列 加工 工艺 | ||
【主权项】:
一种显示屏阵列基板加工工艺,其特征在于,包括:获取阵列基板最终样品的线宽统计值:提供若干片素基板,在所述素基板上依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、显影、后烘工序,至此得到带光刻胶掩膜的图案基板,对所述图案基板进行光刻胶图形的线宽测试,然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序,得到金属或非金属图案基板、对形成的金属或非金属图案进行线宽测试,得到阵列基板最终样品的线宽统计值;微补正金属或非金属图案的线宽:将其它素基板依次进行光刻胶狭缝涂覆、减压干燥、前烘、曝光、微补正曝光、显影、后烘,得到带光刻胶掩膜的图案基板,然后再通过刻蚀对光刻胶进行剥离工序,得到线宽均一性优良的金属或非金属图案基板;其中所述微补正曝光为首先将上述步骤中的阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备,所述微补正曝光设备根据所述线宽统计值对金属或非金属图案的线宽进行细微修正,使最终的线宽符合预期值;所述微补正曝光工序选用的微补正曝光设备是采用大型点阵光源,对阵列基板整体进行微曝光,其中大型点阵光源中的每个小点光源的曝光能量都可以独立控制;将阵列基板最终样品的线宽统计值反馈给微补正曝光设备,在通过大型点阵光源对阵列基板整体进行微曝光的同时,通过调节相应的小点光源的曝光能量对曝光不足、线宽偏大的区域进行微小的曝光能量补正,以达到对线宽均一性进行微调的目的。
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