[发明专利]玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法及设备

摘要

本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法及设备，用于单台面二极管的背面切割定位标记的制作，采用激光垂直穿透的方式，在玻璃钝化硅晶圆背面制作了与正面沟槽对应的切割标记，硅晶圆背面切割可利用此标记进行背面定位切割。因此，不需要使用过去繁琐的二次光刻工艺制作背面定位切割标记，并且提高定位线的精确度、缩短工艺流程时间，通过实际生产对比：与原有双面光刻工艺相比，定位精度由原来的±30um提高到±1um，生产时间大幅缩短、节省多道双面光刻耗材和人力，具有十分显著的经济价值。

主权项

1.一种玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：a.采用机械手抓取一片硅晶圆并将硅晶圆正面送到成像装置镜头视野范围内；b.由成像装置进行成像拍照并通过图像分析处理系统计算出该硅晶圆的切割沟道角度和硅晶圆的位置信息；c.在硅晶圆正面选择目标点位置；d.使用激光在目标点位置进行目标图形的垂直标刻，并穿透整个硅晶圆，且在硅晶圆背面形成与正面目标图形相对应的激光穿透图形，而激光穿透图形之间的对应连线即为背面切割对位线。