[发明专利]漏电测试结构及晶圆结构有效
| 申请号： | 201510587359.8 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531720B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;陈雪磊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种漏电测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区和至少一个注入窗口，从所述注入窗口注入的离子的类型与所述形成阱区的类型一致，所述类型为P型或N型；位于所述阱区上方的依次层叠的导电层和绝缘层；嵌入在所述绝缘层中的至少两个接触孔；及位于绝缘层上方的测试层；所述测试层通过在接触孔中填充导电介质与所述导电层电连接。该漏电测试结构的工艺与管芯工艺相同，在制作管芯时，会同时形成该漏电测试结构。当管芯工艺存在缺陷时，会导致栅极存在空洞缺陷，该漏电测试结构也会形成同样的空洞。通过对形成的漏电测试结构测试其电流，就能够判断半导体管芯工艺是否存在缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种漏电测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区和至少一个注入窗口，从所述注入窗口注入的离子的类型与所述形成阱区的类型一致，所述类型为P型或N型，所述阱区是通过所述注入窗口向半导体衬底中注入所述离子形成；位于所述阱区上方的依次层叠的导电层和绝缘层，所述导电层包括多晶硅层；嵌入在所述绝缘层中的至少两个接触孔；及位于绝缘层上方的测试层；所述测试层通过在接触孔中填充导电介质与所述导电层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510587359.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频播放方法、装置及终端
- 下一篇：一种多媒体资源播放方法和装置
