[发明专利]电路保护装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510587541.3 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105428338A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 朴寅吉;卢泰亨;郑俊镐;金炅泰;赵承勳;金永卓;朴钟必 | 申请（专利权）人： | 英诺晶片科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/60;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电路保护装置及其制造方法，所述方法包含：在衬底上形成电镀引线和连接到所述电镀引线的第一线圈图案；在所述第一线圈图案上形成绝缘层且随后形成曝露所述第一线圈图案的一部分的通孔；从所述第一线圈图案通过电镀引线施加电力从而形成填充所述通孔的通孔插塞；以及在所述绝缘层的上部处形成连接到所述通孔插塞的第二线圈图案。本发明可改进过程可靠性且可减少过程数目。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 保护装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电路保护装置的制造方法，所述方法包括：在衬底上形成电镀引线和连接到所述电镀引线的第一线圈图案；在所述第一线圈图案上形成绝缘层且随后形成曝露所述第一线圈图案的一部分的通孔；从所述第一线圈图案通过所述电镀引线施加电力从而形成填充所述通孔的通孔插塞；以及在所述绝缘层上形成连接到所述通孔插塞的第二线圈图案。
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