[发明专利]基于III-V族半导体材料的AC开关在审
| 申请号： | 201510587800.2 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105428322A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | G·德伯伊;G·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及一种基于III-V族半导体材料的AC开关。描述了一种功率电路，其包括半导体裸片和耦合结构。半导体裸片包括共同衬底以及形成在共同衬底顶部上的III-V半导体层。至少一个双向开关器件至少部分地形成在III-V半导体层内。至少一个双向开关具有至少第一负载端子和第二负载端子。耦合结构配置用于将半导体裸片的共同衬底动态地耦合至第一负载端子的第一电位和第二负载端子的第二电位之中最低的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 半导体材料 ac 开关 | ||
【主权项】：
一种功率电路，包括：半导体裸片，包括：共同衬底，以及III‑V半导体层，形成在所述共同衬底顶部上，其中：至少一个双向开关器件至少部分地形成在所述III‑V半导体层内，并且所述至少一个双向开关包括至少第一负载端子和第二负载端子；以及耦合结构，配置用于将所述半导体裸片的所述共同衬底动态地耦合至所述第一负载端子的第一电位与所述第二负载端子的第二电位之中的最低电位。
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