[发明专利]直接注入型离子束加速装置在审
| 申请号： | 201510588035.6 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105072798A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵良超;何小中;庞健;马超凡 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H05H9/00 | 分类号： | H05H9/00;H05H7/22 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谢敏 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了直接注入型离子束加速装置，包括用于产生离子束的离子源，用于连接离子源与加速腔的束流管道，用于加速、聚焦和传输低能离子束的交变相位聚焦的加速腔，所述加速腔为通过调整加速腔内漂移管的位置和长度来实现交变相位聚焦的加速腔。本发明通过上述结构，能够简单方便的加速低能离子束，同时提高加速梯度、降低高频功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 注入 离子束 加速 装置 | ||
【主权项】：
直接注入型离子束加速装置，其特征在于，包括用于产生离子束的离子源（1），用于连接离子源与加速腔的束流管道（2），用于加速、聚焦和传输低能离子束的交变相位聚焦的加速腔（3），所述加速腔（3）为通过调整加速腔（3）内漂移管的位置和长度来实现交变相位聚焦的加速腔（3）。
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