[发明专利]一种光伏微型逆变器有效

专利信息
申请号: 201510589539.X 申请日: 2015-09-16
公开(公告)号: CN105207256B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 周哲;赵波;任西周;刘海军;宋洁;彭傊;田鑫;赵鹏程;刘宗烨 申请(专利权)人: 国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司
主分类号: H02J3/38 分类号: H02J3/38;H02M3/155;G05F1/67
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102211 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种光伏微型逆变器,所述逆变器包括升压模块和逆变模块;所述升压模块包括前级DC‑DC变换器和后级DC‑DC变换器;光伏阵列(PV)、前级DC‑DC变换器、后级DC‑DC变换器和逆变模块依次串联。前级DC‑DC变换器采用第一Boost电路和第二Boost电路实现最大功率点跟踪和电压的提升,后级DC‑DC变换器负责进一步抬升电压达到电网等级,在升压比大于10的同时实现了最大功率点跟踪。本发明充分利用开关损耗小的电路特点,发挥开关电容电路的高频特性,可有效减小滤波器的体积和输出纹波。
搜索关键词: 一种 微型 逆变器
【主权项】:
1.一种光伏微型逆变器,其特征在于:所述逆变器包括升压模块和逆变模块;所述升压模块包括前级DC‑DC变换器和后级DC‑DC变换器;光伏阵列、前级DC‑DC变换器、后级DC‑DC变换器和逆变模块依次串联;所述前级DC‑DC变换器包括输入电容C1、第一Boost电路、第二Boost电路和输出电容C2;所述输入电容C1与第一Boost电路并联,同时与第二Boost电路并联,第一Boost电路与输出电容C2并联,同时第二Boost电路与输出电容C2并联;所述第一Boost电路包括升压电感L1、开关管Q1和二极管D1;所述开关管Q1采用N沟道MOSFET;所述输入电容C1与升压电感L1相连并且所连接处连接前级DC‑DC变换器的输入端,所述升压电感L1与开关管Q1串联后与输入电容C1并联,所述二极管D1的阳极连接开关管Q1的漏极,二极管D1的阴极与输出电容C2相连,开关管Q1的源级与输出电容C2相连;所述第二Boost电路包括升压电感L2、开关管Q2和二极管D2;所述开关管Q2采用N沟道MOSFET;所述输入电容C1与升压电感L2相连并且所连接处连接前级DC‑DC变换器的输入端,所述升压电感L2与开关管Q2串联后与输入电容C1并联,所述二极管D2的阳极连接开关管Q2的漏极,二极管D2的阴极与输出电容C2相连,开关管Q2的源级与输出电容C2相连;所述后级DC‑DC变换器为谐振式开关电容电路;所述后级DC‑DC变换器包括开关管Q3、开关管Q4、谐振电容C1a、谐振电容C1b、谐振电容C1c、稳压电容C2a、稳压电容C2b、稳压电容C2c、谐振电感Lr、二极管D1a、二极管D2a、二极管D1b、二极管D2b、二极管D1c以及二极管D2c;所述开关管Q3和开关管Q4均采用N沟道MOSFET;所述开关管Q3和开关管Q4串联形成Q3‑Q4支路,所述Q3‑Q4支路与后级DC‑DC变换器的输入端相接,所述开关管Q3的漏极连接后级DC‑DC变换器的输入端正极,其源极连接开关管Q4的漏极,所述开关管Q4的源极连接后级DC‑DC变换器的输入端负极;所述谐振电感Lr一端连接开关管Q3的源级,其一端同时连接谐振电容C1a、谐振电容C1b和谐振电容C1c,所述二极管D1a的阳极与开关管Q3的漏极连接,所述二极管D1a、二极管D2a、二极管D1b、二极管D2b、二极管D1c、二极管D2c按照先阳极后阴极依次连接,与稳压电容C2c串联后再与Q3‑Q4支路并联;所述谐振电容C1a一端与谐振电感Lr连接,其另一端与二极管D1a阴极连接;所述谐振电容C1b一端与谐振电感Lr连接,其另一端与二极管D1b阴极连接;所述谐振电容C1c一端与谐振电感Lr连接,其另一端与二极管D1c阴极连接;所述稳压电容C2a一端与二极管D2a阴极连接,其另一端与开关管Q4的源极连接,所述稳压电容C2b一端与二极管D2b阴极连接,其另一端与管Q4的源极连接;所述逆变模块采用全桥逆变电路。
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