[发明专利]基座分体式控温盘在审
申请号: | 201510589576.0 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN106544650A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 吕光泉;吴凤丽;郑英杰 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/46 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人: | 甄玉荃,霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 基座分体式控温盘,该控温盘包括三个部件,即加热盘上盘体、加热盘下盘体及加热盘基座。所述加热盘基座与加热盘下盘体为分体式结构,且加热盘上盘体的外圆制有边沿。所述边沿部分与加热盘下盘体扣合。上述各部件之间采用焊接的方式进行连接。本发明采用媒介加热盘进行温度控制。每个部件上有不同的结构,形成加热盘的媒介通道,进而控制加热盘的温度。本加热盘采用媒介质进行冷却和加热,利用媒介的循环,对加热盘进行温度的控制,媒介通道分布在加热盘内部。本发明的加热盘上盘体基于一块铝加工而成,且加热盘上盘体的外圆制有边沿,所制得的加热盘媒介通道及热传导气体通道精度高,不易泄漏,能实现对晶圆温度的快速、准确、均匀控制。可广泛地应用于半导体薄膜沉积制造及应用技术领域。 | ||
搜索关键词: | 基座 体式 控温盘 | ||
【主权项】:
一种基座分体式控温盘,主要包括三个部件,即:加热盘上盘体、加热盘下盘体及加热盘基座,其特征在于:所述加热盘基座与加热盘下盘体为分体式结构,且加热盘上盘体的外圆制有边沿,所述边沿部分与加热盘下盘体扣合,上述各部件之间采用焊接的方式进行连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的