[发明专利]基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导体层之间或该第二半导体层内分布有刻蚀终止层，并且相对于选定刻蚀物质，该刻蚀终止层的组成材料较之该第二半导体层的组成材料，特别是其中相对远离第一半导体层的区域的组成材料具有更高耐刻蚀性能。藉由本发明可以大幅降低槽栅技术的实施难度，从而精确控制势垒层的刻蚀深度，同时可以实现凹槽型低温欧姆接触的可控制备，确保器件电学特性和芯片制作工艺的可靠性、重复性、均匀性、稳定性，适于大规模生产。

主权项

1.一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT，包含主要由作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源电极、栅电极和漏电极，其中所述势垒层中分布有与栅电极配合的槽状结构，并且至少所述栅电极下部设置于所述槽状结构中，其特征在于：所述第二半导体层与第一半导体层之间还分布有刻蚀终止层，并且，相对于选定刻蚀物质，所述刻蚀终止层的组成材料较之所述第二半导体层的组成材料具有更高耐刻蚀性能；或者，所述第二半导体层内于设定深度处设有刻蚀终止层，并且，相对于选定刻蚀物质，所述刻蚀终止层的组成材料较之与第二半导体层内其余部分的组成材料具有更高耐刻蚀性能；所述栅电极和/或源电极和/或漏电极与刻蚀终止层之间还分布有由所述刻蚀终止层表层的局部区域与选定刻蚀物质反应而原位形成的自然钝化层。