[发明专利]一种激子限域结构的QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201510591150.9 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105206715B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李正吉 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种具有激子限域结构的QLED及其制备方法。所述具有激子限域结构的QLED，包括阳极、量子点发光层和阴极，还包括空穴传输/电子阻挡层和电子传输/空穴阻挡层，且所述阳极、空穴传输/电子阻挡层、量子点发光层、电子传输/空穴阻挡层和阴极从下往上依次层叠设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激子 结构 qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有激子限域结构的QLED，包括阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括空穴注入层、空穴传输/电子阻挡层和电子传输/空穴阻挡层，且所述阳极、空穴注入层、空穴传输/电子阻挡层、量子点发光层、电子传输/空穴阻挡层和阴极从下往上依次层叠设置，所述电子传输/空穴阻挡层包括电子传输层和空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设置在所述量子点发光层上，所述电子传输层设置在所述空穴阻挡层上；所述空穴传输/电子阻挡层包括空穴传输层和电子阻挡层，所述空穴传输层层叠设置在所述阳极上，所述电子阻挡层层叠设置在所述空穴传输层上，其中，所述空穴阻挡层为PMMA材料层，所述电子阻挡层为SCzDBT材料层，所述阳极为图案化的ITO阳极，所述空穴注入层为PEDOT:PSS，所述空穴传输层为具有单极性传输性能的poly‑TPD；所述量子点发光层为红、绿、蓝三色量子点发光层，所述电子传输层为ZnO，所述阴极为Al。
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