[发明专利]通过光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法有效
| 申请号： | 201510591324.1 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106548939B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张志利;张宝顺;蔡勇;潘革波;于国浩;付凯;孙世闯;宋亮;秦双娇 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，包括：提供刻蚀样品；在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品，同时形成能够在所述刻蚀溶液中稳定存在的刻蚀产物，而且当在所述刻蚀样品上刻蚀出对应于所需凹栅结构的凹槽结构时，所生成的刻蚀产物足以将所述刻蚀表面钝化而导致刻蚀自停止。本发明可有效地实现增强型HEMT，并且具有工艺简便，刻蚀自停止，重复性高，刻蚀损伤小，设备简单，成本低廉，易于进行大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 辅助 刻蚀 停止 实现 增强 hemt 器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，其特征在于包括以下步骤：S1、提供刻蚀样品；S2、在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；S3、将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以具有设定波长的刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品，同时形成能够在所述刻蚀溶液中稳定存在的刻蚀产物，而且当在所述刻蚀样品上刻蚀出对应于所需凹栅结构的凹槽结构时，所生成的刻蚀产物足以将所述刻蚀表面钝化而导致刻蚀自停止；其中，所述刻蚀光线能够提供足以使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品的能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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