[发明专利]离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法在审
| 申请号： | 201510591937.5 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105200377A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 董骐;白天心;罗蓉平;田俊瑞;杜建;赵海波 | 申请（专利权）人： | 北京丹鹏表面技术研究中心 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕强 |
| 地址： | 100096 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及物理气相沉积离子镀膜技术领域，尤其是涉及一种配置气体离子源的离子镀膜机及气体离子刻蚀清洗、辅助沉积方法。本发明在离子镀膜机的真空腔内壁或者法兰上设置一台或多台气体离子源装置，利用气体离子源装置产生的气体等离子体对待镀工件表面进行轰击，实现待镀工件表面的气体离子刻蚀清洗。气体离子源装置可以在大范围内稳定放电，能够控制气体离子刻蚀清洗过程对工件表面的损伤程度，同时实现工件表面的彻底清洁和活化；另外，在离子镀膜过程中，将通入气体离子源的反应气体同时离化，增加气体粒子的化学反应活性，达到气体离子辅助沉积的作用，实现更好的化学反应膜层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 镀膜 气体 刻蚀 清洗 方法 辅助 沉积 | ||
【主权项】：
一种离子镀膜机，其特征在于，在离子镀膜机的真空腔内壁或者法兰上设置一台或多台气体离子源装置，用于对待镀工件的气体离子刻蚀清洗步骤，也用于对待镀工件的气体离子辅助沉积步骤。
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