[发明专利]升温推结扩散工艺在审
申请号: | 201510593157.4 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105118896A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 曹江伟;张广路;杨晓琴;易敏华 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种升温推结扩散工艺,其具体步骤如下:(1)进舟;(2)快速升温;(3)前氧化;(4)升温沉积;(5)升温推结;(6)冷却;(7)出舟。在较低温度下进行升温扩散,然后再在较高温度下推结,形成低表面浓度深结,转换效率提升0.2%以上。 | ||
搜索关键词: | 升温 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
升温推结扩散工艺,其特征为,其具体步骤如下: (1)开始:时间5~20 s,温度760~790 ℃,大氮流量4~12 L/min;(2)进舟:时间600~1000 s,温度760~790 ℃,大氮流量4~12 L/min,进舟速度300~700 mm/min;(3)快速升温:时间300~1000 s,温度760~790 ℃,大氮流量6~25 L/min,升温速率≥10 ℃/min;(4)前氧化:时间200~800 s,温度760~790 ℃,大氮流量6~25 L/min,氧气流量1~5 L/min;(5)升温沉积:时间800~2000 s,温度790~810 ℃,大氮流量6~25 L/min,小氮流量0.8~3 L/min,氧气流量0.3~3 L/min,升温速率≥10 ℃/min;(6)升温推结:时间400~1300 s,温度830~880 ℃,大氮流量6~25 L/min,氧气流量0~2 L/min,升温速率≥10 ℃/min;(7)冷却:时间300~2000 s,温度700~800 ℃,大氮流量6~25 L/min,氧气流量1~5 L/min;(8)出舟:时间700~1200 s,温度700~800 ℃,大氮流量4~12 slm,进舟速度200~500 mm/min;(9)结束:时间5~20 s,温度760~800 ℃,大氮流量4~12 L/min。
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H01 基本电气元件
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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