[发明专利]用于清洁等离子体工艺室部件的湿法清洁工艺有效
申请号: | 201510593168.2 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105428210B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 阿门·阿沃扬;肯尼特·贝隆 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于清洁等离子体工艺室部件的湿法清洁工艺。一种用于清洁等离子体工艺室部件的系统和方法,包括:从所述等离子体工艺室拆除部件,所拆除的所述部件包括沉积在所述部件的表面上的材料。将加热的氧化剂溶液施加到沉积在所述部件上的所述材料中,以氧化第一部分沉积材料。将剥离溶液施加到部件中,以去除所述沉积材料的被氧化的第一部分。施加蚀刻溶液,以去除所述沉积材料的第二部分,所述清洁的部件可以被冲洗和干燥。 1 | ||
搜索关键词: | 清洁等离子体 沉积材料 工艺室 湿法清洁 施加 沉积 去除 等离子体工艺室 氧化剂溶液 剥离溶液 拆除部件 蚀刻溶液 加热 冲洗 拆除 清洁 | ||
对所述等离子体工艺室的拆除的部件实施基本清洁工艺,所拆除的所述部件包括沉积在所述部件上的至少一种材料;
从所拆除的所述部件去除油污;
去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以产生清洁的部件;所述去除包括:将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以氧化沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分;将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的被氧化的所述第一部分;以及施加蚀刻溶液,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分,所述加热的氧化溶液包括重量比例为5份氢氧化钾(KOH)比2份高锰酸钾(KMnO4)的氢氧化钾(KOH)和高锰酸钾(KMnO4)的混合物,以及
干燥所述清洁的部件。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述氧化溶液包括氢氧化钾(KOH)。3.如权利要求1所述的方法,其中,所述氧化溶液包括高锰酸钾(KMnO4)。4.如权利要求1所述的方法,其中,所述氧化溶液包括氢氧化钾(KOH)和高锰酸钾(KMnO4)的混合物。5.如权利要求1所述的方法,其中,所述剥离溶液包括氢氟酸(HF)。6.如权利要求1所述的方法,其中,所述剥离液包括硝酸(HNO3)。7.如权利要求1所述的方法,其中,所述剥离溶液包括氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合物。8.如权利要求1所述的方法,其中,所述蚀刻溶液包括氢氟酸(HF)。9.如权利要求1所述的方法,其中,所述蚀刻溶液包括硝酸(HNO3)。10.如权利要求1所述的方法,其中,所述蚀刻溶液包括乙酸(HAc)。11.如权利要求1所述的方法,其中,所述蚀刻溶液包括氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和乙酸(HAc)的混合物。12.如权利要求1所述的方法,其中,所述氧化溶液、所述剥离溶液和/或所述蚀刻溶液中的至少一种用水稀释。13.如权利要求1所述的方法,其进一步包括:在等离子体工艺室中安装所述清洁的部件;
在所述等离子体工艺室中设置衬底;以及
对所述衬底实施等离子体工艺。
14.一种用于清洁等离子体工艺室的部件的方法,其包括:对所述等离子体工艺室的拆除的部件实施基本清洁工艺,所拆除的所述部件包括沉积在所述部件上的至少一种材料;
从所拆除的所述部件去除油污;
去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以产生清洁的部件;所述去除包括:将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以氧化沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分;将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的被氧化的所述第一部分;以及施加蚀刻溶液,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分,所述剥离溶液包括重量比例为1份氢氟酸(HF)比1份硝酸(HNO3)的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合物;以及
干燥所述清洁的部件。
15.一种用于清洁等离子体工艺室的部件的方法,其包括:对所述等离子体工艺室的拆除的部件实施基本清洁工艺,所拆除的所述部件包括沉积在所述部件上的至少一种材料;
从所拆除的所述部件去除油污;
去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以产生清洁的部件;所述去除包括:将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以氧化沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分;将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的被氧化的所述第一部分;以及施加蚀刻溶液,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分,所述蚀刻溶液包括氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和乙酸(HAc)的混合物,其重量比例为1份氢氟酸(HF)、7.5份硝酸(HNO3)和3.7份乙酸(HAc);以及
干燥所述清洁的部件。
16.一种用于清洁等离子体工艺室的部件的方法,其包括:对所述等离子体工艺室的拆除的部件实施基本清洁工艺,所拆除的所述部件包括沉积在所述部件上的至少一种材料;
从所拆除的所述部件去除油污;
去除沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料以产生清洁的部件包括:
将加热的氧化溶液施加到沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料,以氧化沉积在所拆除的所述部件上的所述至少一种材料的第一部分,其中所述加热的氧化溶液包括重量比例为在5份氢氧化钾(KOH)比2份高锰酸钾(KMnO4)之间的氢氧化钾(KOH)和高锰酸钾(KMnO4)的混合物;
将剥离溶液施加到所拆除的所述部件上,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的被氧化的所述第一部分,其中所述剥离溶液包括氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合物,其重量比例为1份氢氟酸(HF)比1份硝酸(HNO3);以及
施加蚀刻溶液,以从所拆除的所述部件去除所述至少一种材料的第二部分,其中所述蚀刻溶液包括氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和乙酸(HAc)的混合物,其重量比例为1份氢氟酸(HF)、7.5份硝酸(HNO3)和3.7份乙酸(HAc);以及
干燥所述清洁的部件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造