[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制作方法。LDMOS晶体管包括一半导体基底、一绝缘结构、一栅极结构以及多个浮接电极。绝缘结构设置于半导体基底中。栅极结构设置于半导体基底上。浮接电极嵌入绝缘结构中，其中最接近栅极结构的浮接电极从绝缘结构的一上表面突出或栅极结构包括至少一分支部嵌入绝缘结构中，且浮接电极与栅极结构分离。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体基底，具有一第一导电类型；绝缘结构，设置于该半导体基底中；阱区，设置于该绝缘结构的一第一侧的该半导体基底中，其中该阱区具有与该第一导电类型互补的一第二导电类型；第一掺杂区，设置于该绝缘结构相对于该第一侧的一第二侧的该半导体基底中，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第二掺杂区，设置于该阱区中，其中该第二掺杂区具有该第一导电类型；栅极结构，设置于该阱区与该绝缘结构之间的该半导体基底上；以及多个第一浮接电极，嵌入该绝缘结构中并从该第一侧排列至该第二侧，其中最接近该阱区的一该第一浮接电极从该绝缘结构的一上表面突出，且该多个第一浮接电极与该栅极结构分离。