[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510593437.5 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106549053B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李镇全;黄南元;吕水烟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，基底中有一凹槽，至少一鳍状结构位于该绝缘层中，该鳍状结构包含有两边缘部以及一中央部位于该两边缘部之间，其中该边缘部位于该基底的该表面上，并直接接触该基底，该中央部位于该凹槽的正上方，以及一绝缘层填入该凹槽中以及位于该基底的一表面上，且该绝缘层至少接触该鳍状结构的部分侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含:基底，基底中有一凹槽；绝缘层，填入该凹槽中以及位于该基底的一表面上；以及至少一鳍状结构，位于该绝缘层中，该鳍状结构包含有两边缘部以及一中央部位于该两边缘部之间，其中该边缘部位于该基底的该表面上，并直接接触该基底，该中央部位于该凹槽的正上方。
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