[发明专利]用以降低排气口等离子体损害的蚀刻反应系统在审
| 申请号： | 201510593597.X | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280469A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 肖文欢 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出一种蚀刻反应系统，包括一蚀刻反应室、一气体输送管、一上射频电极、一下射频电极、一底座、复数真空泵、复数排气口及复数挡块。底座设置于蚀刻反应室之底部，用于放置下射频电极。待处理物(芯片)放置在下射频电极上。上射频电极设置于蚀刻反应室之上。复数个排气口位于底座四周，用以控制反应室内压力和排出反应生成物。真空泵连接排气口。挡块设置于排气口处，用以使流经芯片表面的等离子体均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 降低 气口 等离子体 损害 蚀刻 反应 系统 | ||
【主权项】：
一种蚀刻反应系统，其特征在于，包括：一蚀刻反应室，具有复数个排气口；一气体输送管，连接于所述蚀刻反应室，用以将蚀刻气体输入到所述蚀刻反应室之中；一上射频电极，设置于所述蚀刻反应室内的上方；一下射频电极，设置于所述蚀刻反应室内的下方并且与所述上射频电极相对，所述蚀刻气体通过所述上射频电极及所述下射频电极的运作而转化成一等离子体，待处理物是被放置在所述下射频电极上；一底座，设置于所述蚀刻反应室之底部，所述下射频电极是设置于所述底座；复数个真空泵，连接于各个所述排气口，用以将所述等离子体与待处理物的反应生成物抽离所述蚀刻反应室；以及复数个挡块，具有复数个冲孔，设置于排气口处，用以使流经芯片表面的等离子体均匀分布；其中所述复数个排气口是围绕着所述底座被设置，用以控制所数蚀刻反应室内的压力和让被排出的所述反应生成物通过。
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