[发明专利]抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器有效
| 申请号： | 201510593942.X | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106549097B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李浩;尤立星;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H01L39/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线。本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器在高反膜上加工制备超导纳米线，该器件结构可以通过正面光耦合将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器通过在高反膜表面生长包覆超导纳米线的高折射率介质层，可以降低器件的偏振相关性。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 偏振 敏感度 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线，适于降低所述超导纳米线对光吸收偏振敏感度；所述介质层的厚度为入射光在该层内等效波长的一半，所述介质层的材料为高折射率材料，所述介质层的材料为Si、SiO、Ta2O5或TiO2。
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