[发明专利]一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法在审

专利信息
申请号: 201510594635.3 申请日: 2015-09-17
公开(公告)号: CN105133014A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 姚忻;相辉;潘彬;崔祥祥;钱俊 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B9/04;C30B33/02;H01B12/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 程玲
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法,包括如下工序:a)按照摩尔比Ba:Cu=2:3制备Ba2Cu3O5粉末;b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备前驱体;c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体;其中,工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3~1.5)wt%CeO2的比例混合均匀,压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba:Cu=2:3制备的Ba2Cu3O5粉末,而避免制备RE123粉末,节约了时间和工艺成本,又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE:Ba:Cu=1:2:3的比例,从而获得REBCO高温超导准单晶。
搜索关键词: 一种 生长 rebco 高温 超导 单晶体 方法
【主权项】:
一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法,包括如下工序:a)按照摩尔比Ba:Cu=2:3制备Ba2Cu3O5粉末;b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备前驱体;c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体;其中,工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3~1.5)wt%CeO2的比例混合均匀,压制而成的圆柱形前驱体。
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