[发明专利]FET及其制作方法在审
| 申请号： | 201510595003.9 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106549054A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;侯朝昭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种FET，包括多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸，包括高迁移率材料的沟道区以及沟道区两侧的源漏区；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸，环绕每个沟道区；隔离层，位于衬底与沟道区之间。依照本发明的高迁移率FET及其制作方法，通过对高迁移率沟道下方缓冲层的选择性刻蚀氧化形成了自对准隔离，低成本高效率地提高了器件驱动能力以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | fet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种FET，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸，包括高迁移率材料的沟道区以及沟道区两侧的源漏区；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸，环绕每个沟道区；隔离层，位于衬底与沟道区之间。
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