[发明专利]一种整合多功能腔以及基片处理系统有效
申请号: | 201510596621.5 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN106548958B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 陶珩;姜银鑫 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/42;H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种整合多功能腔,其包含:处理腔,其设置在所述的整合多功能腔内上方,其一端连接所述的前端模块,用于在前端模块与处理腔之间传输基片,其另一端连接所述的传输腔,用于在处理腔与传输腔之间传输基片;ICP等离子体源,其连接所述的处理腔,用于对处理腔内的基片进行工艺处理;真空锁,其设置在所述的整合多功能腔内下方,其一端连接所述的前端模块,用于在真空锁与前端模块之间传输基片,其另一端连接所述的传输腔,用于在真空锁与传输腔之间传输基片。其优点是:将处理腔设置在真空锁位置后大大简化了基片的流转时间,使用ICP等离子体源后整个系统的处理速度也变得更快。 | ||
搜索关键词: | 一种 整合 多功能 以及 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种整合多功能腔,其位于一基片处理系统中,所述的基片处理系统具有前端模块(1)和传输腔(4),其特征在于,所述的整合多功能腔的一端连接所述的前端模块(1),其另一端连接所述的传输腔(4),该整合多功能腔包含:处理腔(2),其设置在所述的整合多功能腔内上部,其一端连接所述的前端模块(1),用于在前端模块(1)与处理腔(2)之间传输基片(204),其另一端连接所述的传输腔(4),用于在处理腔(2)与传输腔(4)之间传输基片(204);ICP等离子体源,其连接所述的处理腔(2),用于对处理腔(2)内的基片(204)进行工艺处理;真空锁(3),其设置在所述的整合多功能腔内下部,其一端连接所述的前端模块(1),用于在真空锁(3)与前端模块(1)之间传输基片(204),其另一端连接所述的传输腔(4),用于在真空锁(3)与传输腔(4)之间传输基片(204)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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