[发明专利]一种整合多功能腔以及基片处理系统有效

专利信息
申请号: 201510596621.5 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN106548958B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 陶珩;姜银鑫 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;G03F7/42;H01L21/3065;H01J37/32
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 朱成之
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种整合多功能腔,其包含:处理腔,其设置在所述的整合多功能腔内上方,其一端连接所述的前端模块,用于在前端模块与处理腔之间传输基片,其另一端连接所述的传输腔,用于在处理腔与传输腔之间传输基片;ICP等离子体源,其连接所述的处理腔,用于对处理腔内的基片进行工艺处理;真空锁,其设置在所述的整合多功能腔内下方,其一端连接所述的前端模块,用于在真空锁与前端模块之间传输基片,其另一端连接所述的传输腔,用于在真空锁与传输腔之间传输基片。其优点是:将处理腔设置在真空锁位置后大大简化了基片的流转时间,使用ICP等离子体源后整个系统的处理速度也变得更快。
搜索关键词: 一种 整合 多功能 以及 处理 系统
【主权项】:
一种整合多功能腔,其位于一基片处理系统中,所述的基片处理系统具有前端模块(1)和传输腔(4),其特征在于,所述的整合多功能腔的一端连接所述的前端模块(1),其另一端连接所述的传输腔(4),该整合多功能腔包含:处理腔(2),其设置在所述的整合多功能腔内上部,其一端连接所述的前端模块(1),用于在前端模块(1)与处理腔(2)之间传输基片(204),其另一端连接所述的传输腔(4),用于在处理腔(2)与传输腔(4)之间传输基片(204);ICP等离子体源,其连接所述的处理腔(2),用于对处理腔(2)内的基片(204)进行工艺处理;真空锁(3),其设置在所述的整合多功能腔内下部,其一端连接所述的前端模块(1),用于在真空锁(3)与前端模块(1)之间传输基片(204),其另一端连接所述的传输腔(4),用于在真空锁(3)与传输腔(4)之间传输基片(204)。
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