[发明专利]半导体存储装置以及数据处理方法有效
| 申请号： | 201510597855.1 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106024059B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 须藤直昭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置以及数据处理方法，兼顾局部页面编程与数据加扰，使可靠性提高。在本发明的半导体存储装置中，当对同一页面连续编程n次数据时，生成识别信息与编程信息，且将经加扰的数据、识别信息及编程信息编程至存储器阵列所选择的页面，所述识别信息表示对基于所输入的地址信息而选择的页面编程数据时的存储位置，所述编程信息用于识别由该识别信息所规定的存储区域为经编程的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 数据处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种数据处理方法，其特征在于，具有与非型存储器阵列的半导体存储装置的数据处理方法，所述与非型存储器阵列是由多个存储胞元串联连接而成，所述数据处理方法包括：生成步骤，当对存储器阵列的同一页面连续编程n次数据时，生成识别信息与编程信息，所述识别信息对将数据编程至基于所输入的地址信息而选择的页面时的存储区域进行识别，所述编程信息表示所述存储区域是否为经编程的区域，其中n为2以上的自然数；加扰步骤，对用于编程n次的所述数据进行加扰；以及编程步骤，将经加扰的所述数据、所述识别信息及所述编程信息编程至选择的所述页面。
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